thermal junction-to-case resistance

См. также в других словарях:

• Thermal resistance in electronics — Thermal resistance is the temperature difference across a structure when a unit of heat energy flows through it in unit time. It is the reciprocal of thermal conductance. The SI units of thermal resistance are kelvins per watt, or the equivalent… …   Wikipedia

• Junction temperature — is the highest temperature of the actual semiconductor in an electronic device. In operation it is higher than case temperature, the temperature of the part s exterior. The difference is equal to the amount of heat transferred from the junction… …   Wikipedia

• Thermal management of electronic devices and systems — Heat generated by electronic devices and circuitry must be dissipated to improve reliability and prevent premature failure. Techniques for heat dissipation can include heatsinks and fans for air cooling, and other forms of computer cooling such… …   Wikipedia

• Thermal runaway — refers to a situation where an increase in temperature changes the conditions in a way that causes a further increase in temperature leading to a destructive result. It is a kind of positive feedback.Chemical engineeringIn chemical engineering,… …   Wikipedia

• Bipolar junction transistor — BJT redirects here. For the Japanese language proficiency test, see Business Japanese Proficiency Test. PNP …   Wikipedia

• ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 20332 84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 110. Время включения тиристора E. Turn on time F. Temps d’amorcage tувкл, tвкл Интервал времени, в течение которого тиристор… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• p-n junction — A silicon p–n junction with no applied voltage. A p–n junction is formed at the boundary between a P type and N type semiconductor created in a single crystal of semiconductor by doping, for example by ion implantation, diffusion of dopants, or… …   Wikipedia

• тепловое сопротивление переход-корпус тиристора — Тепловое сопротивление тиристора в случае, когда температурой в заданной контрольной точке является температура корпуса тиристора. Обозначение RT(n k) Rthjc [ГОСТ 20332 84] Тематики полупроводниковые приборы EN thermal junction to case resistance …   Справочник технического переводчика

• Тепловое сопротивление переход-корпус тиристора — 130. Тепловое сопротивление переход корпус тиристора E. Thermal junction to case resistance F. Résistance thermique entre la jonction et le boîtier RT(n k) Тепловое сопротивление тиристора в случае, когда температурой в заданной контрольной точке …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 25529 82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 87. Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона D. Zeitliche Instabilitat der Z Spannung der Z… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• Power MOSFET — A Power MOSFET is a specific type of Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) designed to handle large power. Compared to the other power semiconductor devices (IGBT, Thyristor...), its main advantages are high commutation speed …   Wikipedia